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TE的数据显示,8款全的单/多通道硅静电放电(SESD)保护器件,可提供市场上最低的电容(双向:典型值为0.10pF,单向:典型值为0.20pF)、最高的ESD保护(20kV空气放电和接触放电)和最小尺寸封装(多通道:最小的直通外形尺寸、厚度为0.31mm--与竞争性器件相比降低程度多达50%。)。
陶航表示,硅质地将会是ESD器件的方向,电容越小,其信号完整信保护的越好,TE的现款SESD器件比起聚核PESD的性能更优越。其能够满足如今的 ‘Thunderbolt’应用,甚至适用于4K超高清(UHD)和1/4高清电视(QHD)等仍然处于兴起的市场。如果在高电压ESD 的冲击情况下,20KV的高电压额定值可将ESD器件出现短路导致端口永久性失效,或者因静电放电导致ESD器件开路、暴露下游芯片组从而带来损坏的风险降到最低。
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