一? 引言

　　DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达：

　　效率 = 输出功率 / 输入功率???????? （1）

　　功率损耗 = 输入功率-输出功率?? （2）

　　但是对于每个元器件做为一个单独热源在损耗中所占的比重，这样的结果没有提供任何信息。而我们的方法学能让设计者更好地选择针对其应用的最佳DC-DC实现方案。

二? 降压转换器的实例

　　降压转换器中的主要热源是高边MOSFET、低边MOSFET和电感器。如果我们使用电工学方法来判定高边MOSFET的功率损耗，那么就必须测量漏极电流、漏源电压、栅极电流和栅源电压。不幸的是，如果不在电流路径中引入额外的电感和干扰电路的正常工作，要在高频DC-DC转换器中测得这些数据是非常困难的。但借助热成像摄像机，我们研究出一种求解每个热源功率损耗的新方法，而且不会影响电路的工作。

三? 新方法的基本原理

　　在一个电路中，将电能转换为热能的元器件是热源。能量转换成热会增加热源器件的和周围环境的温度。转变成热的能量就是元器件的功率损耗。整个温升（？T）取决于功率损耗（P）和环境。对于一个在固定测试台上的某块PCB板，？T是功率损耗的唯一函数。因此，如果我们测量出？T，就可以推导计算每个热源功率损耗的方法。

　??? 测量高频DC-DC转换器功率损耗的新方法使用了直流功率测试，和一个热成像摄像机来测量PCB板上每个热源的表面温度。用新方法测得的功率损耗与用电工学方法测得的结果十分接近。新方法可以很容易地区分出象MOSFET这样的主热源，和象PCB印制线及电容器的ESR这样的次热源的功率损耗。

四? 基本原理的推导

　　为简单起见，假设在PCB板上有两个热源（HS1和HS2）。HS1工作时不但使其自身的表面温度会升高，也会提高HS2的表面温度，对HS2来说也是如此。因此，每个热源的最终？T可以用下面的等式来表示。

　　Sij （i, j = 1,2）是热敏感度系数，与热阻的度数相同

　　Pi是每个热源的功率损耗

　　等式（3）也可以扩展到N个热源的情况。在这种情况下，每个热源的温升可以由下式给出。

　　S是一个N x N的矩阵

　　如果我们知道S的数值，就可以由下式得到每个热源的功率损耗。

　　假设Sij与温度或电路的工作状态无关，那么就可以由等式6确定每个Sij。

　　这里，DTI是第i个热源的温升，Pj是第j个热源消耗的功率。所有其他器件都不起作用。

　每次我们都使用简单的直流技术给一个热源供电，这样就可以以非侵入式方式测量热敏感度的系数。我们对被测器件（IC，MOSFET和电感器）施加直流电压和电流，迫使器件开始消耗能量，然后测出Pj。然后我们使用热成像摄像机测量表面温度的？TI，接着就可以用上面的等式（6）计算出Sij。

　　我们使用了新的方法学计算两个降压拓扑的主热源：一个使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率级，和一个使用两个MOSFET的分立式功率级，在分立式功率级中，Si7382DP在高边，Si7192DP在低边。