首先，置RB0为输出状态，RB1和RB2为输入状态，RB0输出高电平Vh（≥0.85VDD），通过湿敏电阻对C进行充电，根据电路理论，电容上的电压按一阶指数规律变化，
Uc(t) = Vh[1-exp(t/RxC)]         (1)

在渡越时间Tmr后，Uc(t)由0V上升到RB2的输入高电平门槛电压VT（0.45VDD），RB2的输入状态也由低电平变为高电平，此时再将，RB0，RB2置为低电平，电容C上的电压通过RP，及RX和RB2快速放电。如此重复，进行充放电。
由式（1）知
Tmr = -Ln( 1-VT/Vh ) Rx C     (2)
由(2)知，只要测量Tmr，VT、Vh、C 为已知，可以计算出Rx，由于元件参数及温度漂移，VT、Vh、C的值很难精确计算，为解决此问题，我们可置RB1为高电平，Vh（≥0.85VDD），通过固定电阻R0对C进行充电，同理可知，电容上的电压Uc(t)由0V上升到RB2的输入高电平门槛电压VT的时间为Tcr:
Tcr = -Ln( 1-VT/Vh ) R0 C       (3)
将 (2)/ (3)可得：
Rx= (Tmr/ Tcr) R0              (4)

由(4)可知，只要测量Tmr与Tcr，R0为精密固定电阻，通过运算就可以计算Rx ，与其他因素无关。在RX测量后就可以查表计算相对湿度值

参数设计：
电阻R0与电容C的选择主要取决于需要的分辨率，与单片机周期等有关
电阻建议选择精密金属膜电阻，建议为60K---300K（1%）之间（取值与测量范围有关，取与Rxmax的1/2左右）
电容的选择既要考虑到测量的灵敏度，又要考虑不使计数时间太长，具体考虑单片机的时钟频率等因素。
C≤-T/[RxmaxLn(1-VT/Vh)]
                             T为计数器溢出时间，与分辨率有关
  Rxmax 为最大阻抗值，（取200K--600K左右取值与测量范围有关）
建议电容量在0.1UF到1U间选择,材料为陶瓷或有机电容

B、 A/D直接采样法

湿度传感器由于其必须的激励通过交流电来实现，及不同温度特性下阻抗不同的特性，决定了其在AD采样电路中必须采用动态采样的方法，并同时采样温度信号。具体电路示意图如下：

参数设计：
     R0采样电阻的阻值通常建议在30－50KΩ，侧重高湿测量，采样电阻阻值可降低到20KΩ，低湿阻值可提高到100KΩ。
     在信号的正周期内的中间段进行采样，直接通过分压法采集，注意采样时间，通过电压采样后得到V0，计算如下：
RX=R0*(V-V0)/V0
同时检测当前温度T，通过查阅湿度传感器Z/RH/T数据表，在不同温度下RX的值推算出当前的相对湿度RH%。
不同单片机可能得到的数据会有所不同，建议通过软件进行矫正。