国际整流器（IR）推出新一代绝缘闸双极电晶体（IGBT）技术平台。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越的性能。

　　崭新的Gen8设计让顶尖的Vce（on）能减少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。国际整流器亚太区销售副总裁潘大伟表示，该公司透过开发全新基准技术及顶尖的IGBT矽平台，彰显在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。国际整流器期望为所有电动马达提供百分百变频，借以更有效使用电能，并且绿化环境。

　　新技术针对马达驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt减到最低，从而减少电磁干扰和过压，以提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较狭窄，在高电流功率模组内并联起多个IGBT之时，可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善热阻和达到175℃的最高结温。

　　潘大伟指出，国际整流器的Gen8 IGBT平台凭借最佳的Vce（on）、耐用性及开关功能，能让工业市场厂商所面对的艰巨难题迎刃而解。

　　关于IGBT：

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。