BiCMOS反相器电路图及原理

BiCMOS反相器

双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视。

　　上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T₁和T₂构成推拉式输出级。而M_p、M_N、M₁、M₂所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号v_I同时作用于M_P和M_N的栅极。当v_I为高电压时M_N导通而M_P截止；而当v_I为低电压时,情况则相反，M_p导通，M_N截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T₂放电。
　　上述电路中T₁和T₂的基区存储电荷亦可通过M₁和M₂释放，以加快
电路的开关速度。当v_I为高电压时M₁导通，T₁基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T₁类似。同理 ，当v_I为低电压时，电源电压V_DD通过M_P以激励M₂使M₂导通，显然T₂基区的存储电荷通过M₂而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。