结终端扩展技术

　　结终端扩展(JTE)技术最早由A.K.Temple等人提出，其作用是控制高压器件的表面电场。最早的JTE为横向变掺杂技术将终端区分为多区，靠近主结的JTE区保持较高的浓度，以减弱主结电场，最外区保持较低的浓度，从而降低自身的电场强度，这种工艺难度大而且复杂，不适用于批量生产。

　　可采用多区变化终端窗口设计，即越靠近主结的区域，环设计较宽;离主结越远，终端环设计越窄。通过多种实验优化，如800V器件的JTE窗口设计分别为4.5μm、4μm、3.5μm、3μm、2.5μm、2μm、1μm。实践证明，该结构可以起到分开优化表面电场和体内电场的作用，从而提高击穿电压。利用结终端扩展技术，可以相对于场限环减小终端面积，从而降低成本。