三、共栅级(Common-Gate Stage)

图3.1.1 共栅级

图1.1.1 电阻负载的共源级
1.分析与简化
不严谨地说,共栅级与共源级是一样的。回看单级放大器1中的电阻负载的共源级,与图3.1.1相比,两者最大的不同是共源级从栅极输入信号,而共栅级从源极输入信号。
两者相同点在于,都是通过改变M1的VGS产生小信号电流,流经负载产生输出信号。 这样去理解,那我们的思路就豁然开朗了。
但分析两者之间的区别对我们来说才是重要的,有以下2个不同:
①共栅级以源极为信号输入端,输入阻抗小;②共栅级的源极与衬底之间存在电位差,需要考虑衬底偏置效应(体效应)。
2.重要指标的推导
因此,共栅级的等效跨导由gm1变为(gm1+gmb1):
gm1 → (gm1+gmb1)
可见体效应增大了共栅级的等效跨导。
输入阻抗为:
R in =1/(gm1+gmb1)
******可见体效应进一步减小了共栅级的输入阻抗。
输出阻抗与共源级一致:
Rout=RD||ro1
故增益为:
**** |Av| =**(gm1+gmb1)( RD||ro1 ****** )
可见体效应增大了共栅级的增益。
3.共栅级的特点
①可以****用作阻抗变换。 输入阻抗是晶体管跨导的函数,可以通过改变晶体管偏置条件控制输入阻抗,在阻抗匹配中很有用。
② 增益比共源级略大。 体效应增大了共栅级的等效跨导。
四、共源共栅级(Cascode Stage)

图4.1.1 电阻负载的共源级
这一部分非常重要!!!!!!用得很多!!!!!!
但是我懒得写了,大同小异,大概就是共源级+共栅级。
最主要这几个特点:
①输出阻抗很大。可以参考我MOS等效输入阻抗那篇文章。
②增益很大。输出阻抗很大,所以增益也很大。
③限制输出动态范围(Swing)。同一条支路堆叠了更多的MOS,要保证其一直工作在饱和区,就需要消耗一定的压降。
因此,输出电压的最大值、最小值都会受到限制。可以采用折叠共源共栅缓解这个问题,但是会增加功耗。
④屏蔽特性。因为增益很大,所以输出端的电压变化基本上不会影响到输入端。
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