来源:纳芯微电子
摘要
本应用笔记基于NSIP3266全桥驱动芯片,提出了一套完整的平面变压器设计方法,该方法创新性地改进了传统AP法,突出平面变压器磁芯窗口横向宽度的核心地位,通过15V转24V/4W/200kHz的隔离电源实例,全面展示了从磁芯选型、参数计算到PCB设计与仿真验证的全流程。
实测结果表明,该方案在实现81.4%满载效率、±5%负载调整率的优异电气性能的同时,其全桥拓扑的对称驱动特性有效抑制了直流偏磁,并且对平面变压器批量生产中存在的工艺偏差展现出强容错性,最终温升仅30℃。
该方案充分发挥了平面变压器的高频、低剖面优势,与NSIP3266的宽频调节(100kHz-1MHz)能力深度协同,为新能源汽车、工业驱动等高端领域的高功率密度、高可靠性电源应用提供了经过充分验证的技术路径。
1. NSIP3266的隔离电源应用实例
1.1 NSIP3266的优势
在电源系统设计中,选择合适的拓扑结构是决定系统性能、成本和可靠性的关键环节。当工程师面临高频、高功率密度应用需求时,往往需要在多种技术路径中做出权衡。不同拓扑结构的优劣势对比如表1.1所示,NSIP3266采用的全桥拓扑具有显著优势。

表1.1 不同拓扑的优劣势
NSIP3266采用全桥拓扑架构,与平面变压器结合构成了一个在电气性能、热管理和量产鲁棒性上均表现优异的系统级解决方案。
其核心优势在于,全桥的对称电压驱动能有效抑制直流偏磁,天然适配平面变压器易实现的低漏感与良好对称性,从而在根源上优化EMI性能与磁芯利用率。支持100kHz-1MHz的宽频调节能力,使得设计可与平面变压器特定的层叠结构与寄生参数(如低分布电容)深度协同,实现高频下的高效率与高功率密度。
此外,该拓扑对变压器参数(如匝比、漏感)的敏感性较低,赋予了方案强大的工艺容差能力,能显著吸收平面变压器在批量生产中难以避免的PCB层压、对位及绕组一致性等微小偏差,从而在确保高性能的同时,大幅提升了量产良率与长期可靠性。
因此,该方案特别适用于对效率、功率密度、EMC及可靠性有严苛要求的新能源汽车、工业驱动等高端领域。
1.2 隔离电源拓扑结构
NSIP3266广泛应用于IGBT、Si MOS、SiC MOS等开关管的驱动供电场景。本设计采用15V转24V的隔离电源方案,24V输出通过LDO转换为正负电压,确保开关管的稳定导通与关断。
该设计方案中,变压器原边由NSIP3266驱动,副边采用无源半桥整流结构。这种拓扑能在相同输入输出条件下,有效减少副边线圈匝数,优化平面变压器的设计空间。

图1.2 实例拓扑结构
1.3 隔离电源设计参数
本设计的关键电气参数如下表所示,这些参数为后续的变压器设计提供了明确的目标和约束条件。

表1.2 设计参数
2.平面变压器磁芯选型与参数计算
2.1.平面变压器匝比近似计算
计算变压器匝比,首先需要确认满载时变压器原边电压Vp与副边电压Vs,以保证在满载条件下也能输出目标电压24V。变压器原边电压主要考虑NSIP3266内部MOS压降,上下管的总导通阻抗Rdson最大约1.8Ω。
计算额定工况下的平均输入电流Iin,

上下管总压Vds_all降近似为

输入电压15V,变压器原边电压近似为

变压器副边电压主要考虑副边整流管二极管压降,二极管选型要基于实际应用情况,如果更注重整体效率,需选择正向导通压降小的二极管,比如肖特基二极管MBRS140T3G;如果更注重负载调整率,要选择结电容较小二极管,以防止轻载下二极管结电容和漏感谐振导致输出电压较高,比如快恢复二极管S1A。此处以MBRS140T3G为例,二极管最大压降VPN为0.6V,变压器副边电压近
似为

因此,变压器原副边匝比n近似为

2.2.平面变压器磁芯选型方法
通常变压器磁芯选型使用AP法⸺面积乘积法,主要涉及到磁芯的两个参数,分别为磁芯有效截面积Ae和窗口面积Wa。如图2.1所示,Ae=C x E(mm2),Wa = D x 2F(mm2)。

图2.1 U型磁芯示意图
变压器的功率处理能力和面积积Ap的关系可以推导如下,以公制单位表示法拉第定律为

式中,Kf= 4.0,对方波;Kf= 4.44,对正弦波;N为线圈匝数;Bm为磁芯最大磁密。当变压器的绕组窗口面积被完全利用时

式中,Ku为窗口利用率;Np为变压器原边匝数;Awp为原边绕线截面积;Ns
为变压器副边匝数;Aws为副边绕线截面积。导线截面积可表示为:

式中,J为导线电流密度;Ip≈ Iin为变压器原边电流有效值;I s为变压器副边电流有效值,由于副边为半桥整流,I s≈ 2Iout。将式(6)、(8)带入到式(7)中,

因此,可以得出:

但在平面变压器中,线圈是绕在PCB中,磁芯窗口的垂直方向2F利用率很低,主要受PCB层数和板厚的限值,且磁芯垂直方向一般可灵活调整。因此,在平面变压器磁芯的选型中,窗口面积Wa主要关注横向长度D,其决定了能够画多少圈线圈。
针对平面变压器的特点,提出改进的AP法计算公式,重点关注磁芯横向宽度D这一关键参数,它直接决定了PCB布线的可行性。

式中,Kd为横向长度利用率,通常为0.5左右;Wp和Ws分别为原副边走线宽度,单位为mm;Nlp和Nls分别为原副边线圈布线层数。上式中取最大值,是因为在平面变压器中,原副边线圈一般为叠放,磁芯窗口的横向宽度要保证能够满足最大宽度的布线要求。
重新定义调整后的AP法,

其中,原副边的线宽可通过如下公式计算,

式中,K为修正系数,一般铜线在内层时取 0.024,在外层时取 0.048;∆T为允许的PCB温升;Wcu和Hcu分别为走线宽度和厚度,单位为mil。
2.3.实例磁芯选型
该案例的平面变压器,PCB为六层板,中间四层走线,原副边各走两层,顶层和底层做绝缘,铺铜厚度为1oz,PCB允许温升为10℃,选择MnZn铁氧体,一般最大磁密Bm设计为0.25T。
将原副边电流带入式(13),为了有足够的裕量,电流取实际电流的2倍,可计算得

实际原副边线圈宽度取值分别为

将式(15)带入到式(12)中,可得

基于上述计算,选择的U型磁芯参数如下,

表2.1 U型磁芯参数
2.4.平面变压器参数计算
根据式(6)可以确认变压器匝数,式中Bm = 0.25T,V = Vp ≈ 14.4V,f=200kHz,计算得原边最小匝数,

原边匝数向上取整,Np = 8,基于匝比计算副边匝数,Ns= 7。计算实际变压器磁芯磁通密度峰值,

基于选定的磁芯和磁芯粘合后的等效气隙lg可以近似计算出等效磁导率µe和每匝线圈的电感值AL,一般磁芯粘合会选择掺有磁粉的胶水,并研磨,等效气隙lg较小,约为5µm,

计算原副边电感值,

励磁电流变化量∆Im 和峰值Impeak 计算,

原边阻抗近似计算,

式中,Kac为交流阻抗校正系数,取值1.5;l w为平均等效周长,近似为2(E+D+C+D),实际长度取决于布线方式。
3.平面变压器设计与仿真
3.1.PCB设计
基于上述磁芯选型与参数计算,平面变压器进行如下设计:PCB使用6层板,铜厚1oz,总厚度约1.6mm,中间四层走线,原边在4、5层,每层4匝线圈,线宽为20mil,铜厚1oz;副边在2、3层,2层4匝,3层3匝,线宽为20mil。层间线间距设计为8mil,原副边线圈距离磁芯大于0.6mm
(需基于实际耐压需求设计,不同板材耐压值不同)。为了节约陈本,不使用盲孔设计,原副边通孔到相对应线圈距离3mm以上(需基于实际耐压与爬电需求设计,不同板材耐压值不同)。实际绘制变压器的PCB如图3.1。

图3.1 平面变压器PCB设计图
3.2.平面变压器仿真
根据平面变压器的PCB设计,在仿真软件中仿真变压器的电气参数,仿真模型如图3.2所示,其中棕色实体为磁芯,浅绿色透明体为FR4板材,材料参数基于实际选型确认,最终仿真参数见表3.1。

图3.2 平面变压器仿真模型

表3.1 平面变压器参数对比
4.Demo测试结果
4.1.负载调整率和效率测试
Demo的负载调整率和效率测试结果如图4.1,由于是开环设计,随着负载的增加,输出电压有所下降,输出功率从满载的10%增加到90%,输出电压下降约2V,负载调整率小于±5%;满载效率81.4%,满足目标要求。

图4.1 负载调整率和效率测试结果
4.2.电性能测试
空载和满载的启机波形如图4.2所示,输入电容为两个10µF和一个0.1µF并联,输出电容为一个10µF和一个0.1µF并联。启机会有个软启动阶段,该阶段内电流最大值被限制在600mA左右,以防止启机有较大的电流冲击。

图4.2 启机波形测试结果
空载和满载的输入输出纹波如图4.3所示,输入端电压纹波都比较小,30mV左右;输出电压纹波在满载时相对较大,约87mV,在输出电压的0.5%以内。
4.3.平面变压器的电压和电流波形测试
分别测试了空载和满载时的变压器电压和电流波形,如图4.4所示。空载时,变压器电流主要为励磁电流,励磁电流变化量约为575mA,未发生磁饱和现象;满载时,未观察到有磁偏现象,电压和电流波形都很对称。

图4.3 输入输出纹波测试波形

图4.4 空载和满载时的变压器电流波形
4.4.平面变压器温升测试
常温25℃下,满载运行30min,测量变压器温度,如图4.5所示,其中平面变压器温度最高,温度升高约30℃,NSIP3266的温升低于平面变压器。

图4.5 平面变压器温度测试
5.总结
本文仅提供一种平面变压器的磁芯选型方式和参数近似计算方法,及供参考,实际应用中要基于实际情况进行调整与多次迭代,最终确认磁芯选型和变压器设计,主要考虑一下方向:
1.平面变压器的绝缘设计必须优先考虑安规要求,原副边线圈间距、过孔间距以及线圈与磁芯间距都需要基于实际采用的PCB板材耐压等级进行精确计算。
2.磁芯窗口横向长度D的实际利用率Kd存在较大波动范围,设计时需要预留充足的安全裕度。此外,还需综合考虑层间介质厚度、阻焊层厚度等三维绝缘因素,确保在任何工作条件下都能满足绝缘耐压要求;
3.励磁电流的设计需要根据应用功率等级采取差异化策略。在大功率应用中,励磁电流应严格控制在额定电流的20%以内,以保证系统工作效率。而对于小功率电源如本文的4W案例,重点在于防止磁芯饱和,对励磁电流的限制可以适当放宽;
4.高频工作时的集肤效应和邻近效应需要特别关注,通过合理选择线宽和厚度来降低高频涡流损耗。设计过程应该是一个参数迭代优化的过程,通过仿真-实测-调整的循环逐步完善变压器参数。
纳芯微电子(简称纳芯微,科创板股票代码:688052;香港联交所股票代码:02676.HK)是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来,公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向,为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。
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