晶体/陶瓷振荡器基本电路

晶体/陶瓷振荡器基本电路

以下是晶体/陶瓷振荡器的两个应用电路。

说明 1. 内部偏压电阻RINB，用于产生振荡器的工作点。
2. 内部振荡器电容CIN1 和CIN2，与外部晶体/陶瓷振荡器配合构成Pierce 振荡器。振荡时，晶体/陶瓷振荡
器可以看作是等效电感，该电路还可以降低EMI。
3. 外部偏压电阻REXB，用于低压停振控制的特殊应用，需配合CEX1 使REXB×CEX1 大于2πfSYS。主要原
理是加大振荡电路的负载，在低压时使振荡器停振，使MCU 不会发生低电压工作错误的情形。如果实
际应用中没有用到低电压情形，该电阻可以省略。
4. 外部振荡器电容CEX1 和CEX2，用于振荡频率微调或晶体/陶瓷振荡器匹配，并可用于调整起振时间，正
常应用时可省略。
5. 在HOLTEK MCU 的datasheet 和handbook 的应用电路中，都有提供匹配的电阻电容值供使用者参考。

晶体/陶瓷振荡器Warm-up 时间
• 晶体/陶瓷振荡器在起振前所需的温机(Warm-up)时间。
• 其时间长短与晶体/陶瓷振荡器的特性及停振(冷却)时间长短有关，一般在冷机状态下，温机时间约为3~5ms。
系统start-up 定时器
• 为了让振荡器能够稳定起振所需要的延时时间。
• 其时间为1024 个振荡器振荡周期。
EMI/EMS(EMC)注意事项
• 晶体/陶瓷振荡器需放置最接近于MCU 的振荡器引脚，即其连线应最短。
• 为减小EMI，晶体/陶瓷振荡器的引脚应有VDD 或GND(VSS)环路做屏蔽。
• CEX1 和CEX2 所接的VDD 或GND(VSS)，其到MCU 的VDD 或GND(VSS)连线应最短。